关键设备布局与工艺流程

质量控制点设置与检测方法

适应现有（本章未完，请翻页）

数字-模拟转换器基础设计

光刻胶配方与工艺参数

掩膜版设计与制作技术

半导体器件失效分析方法

【4.初级集成电路全套技术】

小规模集成电路（SSI）设计方法

【3.半导体基础理论】

PN结物理模型及数学描述

晶体管工作原理与设计公式

单晶硅拉制技术：直拉法（CZ法）

纯度：9N（99.9999999%）

晶向控制：＜100＞、＜111＞可选

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芯片封装与测试标准

【5.简化的半导体工厂设计方案】

百级无尘室建设标准与方案

中规模集成电路（MSI）核心电路模块

基本逻辑门电路设计与优化

运算放大器设计与制造

半导体材料特性与参数表

杂质掺杂控制理论

热扩散与离子注入技术基础

最大拉制直径：4英寸

缺陷密度控制：＜1000个/平方厘米

掺杂控制：硼、磷、砷精确掺杂技术